آغاز تولید انبوه حافظه‌های نسل بعد HBM4، GDDR7 و DDR5 سامسونگ در سال 2026
سامسونگ در سال 2026 تولید انبوه نسل جدید حافظه‌های HBM4، GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت و ماژول‌های DDR5 با ظرفیت بیش از 128 گیگابایت را آغاز می‌کند. این شرکت با فناوری 2 نانومتری GAA به تقاضای فزاینده هوش مصنوعی پاسخ خواهد داد.
تولید انبوه حافظه‌های نسل بعد توسط سامسونگ در 2026
سامسونگ برنامه‌ریزی دقیقی برای تولید انبوه حافظه‌های پیشرفته در سال 2026 انجام داده است. این شرکت کرهای با تمرکز بر فناوری HBM4 که سرعت انتقال داده تا 11 گیگابیت بر ثانیه دارد، خود را برای بازار شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی نسل آینده آماده می‌کند. هم‌زمان تولید حافظه‌های GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت و ماژول‌های DDR5 با ظرفیت بیش از 128 گیگابایت نیز در دستور کار قرار دارد.
- فناوری 2 نانومتری GAA برای تراشه‌های Exynos و Snapdragon
- افزایش ظرفیت تولید در فاز 1c برای پاسخ به تقاضای HBM4
- تأسیس کارخانه جدید در تگزاس برای تولید پایدار
- تمرکز بر بازار سرور و کاربردهای هوش مصنوعی
- کمبود ظرفیت حافظه‌های مصرفی به دلیل تمرکز بر هوش مصنوعی
“رشد 15.4 درصدی درآمد سامسونگ در سه‌ماهه سوم 2025 عمدتاً ناشی از تقاضای بالا برای حافظه‌های HBM3E و SSDهای سرور بوده است.”
“انتظار می‌رود تراشه‌های گرافیکی جدید مانند Rubin انویدیا و محصولات AMD از حافظه‌های GDDR7 بهره ببرند.”
با توجه به برنامه‌های گسترده سامسونگ، سال 2026 نقطه عطفی در صنعت حافظه‌های پیشرفته خواهد بود که تقاضای فزاینده هوش مصنوعی را پوشش می‌دهد.